Память Samsung GDDR6 получила награду CES 2018 Innovation
- 13-11-2017, 17:57
- 2017
Проблема ограниченной пропускной способности графической памяти GDDR5 в своё время привела к появлению видеокарт и HPC-ускорителей с буферной памятью HBM (HBM1) и позже — HBM2. Соединение графического ядра и кристаллов High Bandwidth Memory через промежуточный кремниевый слой позволило как повысить пропускную способность подсистемы памяти, так и значительно уменьшить площадь, занимаемую ключевыми элементами видеокарты. В то же время и недостатков у решений с HBM/HBM2 оказалось немало: высокая себестоимость и, как следствие, ограничение объёма памяти, практическое отсутствие возможности замены чипов VRAM в рамках одного поколения GPU (опять же из-за дополнительных затрат) и сильная зависимость от подрядчиков. Всё это стало причиной параллельного выпуска high-end видеокарт с буферной памятью типов GDDR5, GDDR5X (едва ли полноценная замена GDDR5) и HBM2.
В первой половине следующего года на подмогу недостаточной быстрой памяти GDDR5 и более дорогой GDDR5X придут микросхемы нового поколения — GDDR6. Производством последних уже занимаются компании Samsung и SK Hynix, и массовые поставки должны начаться в ближайшие месяцы. Тем не менее в серийных видеокартах GDDR6 появится только весной — с первыми анонсами адаптеров NVIDIA GeForce и/или TITAN на 12-нм чипах Volta. Прежде Samsung Electronics информировала общественность о своих планах по выпуску микросхем GDDR6 с пропускной способностью от 14 до 16 Гбит/с на контакт (против максимальных 9 Гбит/с у GDDR5 и 10–11,4 Гбит/с у GDDR5X), а SK Hynix анонсировала 8-Гбит (1-Гбайт) чипы GDDR6 с пределом пропускной способности в 16 Гбит/с на контакт.
Война пресс-релизов между южнокорейскими производителями VRAM продолжается и в эти дни. Среди массы продуктов Samsung, удостоившихся награды CES 2018 Innovation, нашлось место и для 16-Гбит (2-Гбайт) микросхемы GDDR6.
«Samsung GDDR6 ёмкостью 16 Гбит — самая быстрая и самая экономичная DRAM-память для графических продуктов следующего поколения. Она обрабатывает изображения и видео с пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт и общей ПСП в 64 Гбайт/с, что эквивалентно передаче объёма двенадцати DVD-дисков с Full HD видео в секунду. Новая DRAM может работать при напряжении 1,35 В, что обеспечивает дополнительное преимущество по сравнению с сегодняшней графической памятью, которой необходимо 1,5 В при пропускной способности всего 8 Гбит/с на контакт».
Как удалось выяснить ресурсу VideoCardz, вышеприведённое описание соответствует продукту Samsung GDDR6 с маркировкой K4ZAF325BM. Восемь таких микросхем (в сумме 128 Гбит или 16 Гбайт) обеспечат общую пропускную способность в 512 Гбайт/с при 256-битной шине памяти, а двенадцать чипов — 768 Гбайт/с при 384-битной шине. Для сравнения, буферная память HBM2 у видеокарты Radeon RX Vega 64 (и ряда неигровых адаптеров) характеризуется общей ПСП в 484 Гбайт/с, а у HPC-ускорителя Tesla V100 — 900 Гбайт/с. Конечно, разработка High Bandwidth Memory также не стоит на месте, но условная HBM3 явно задержится относительно GDDR6.
